恭喜三菱电机株式会社小坂尚希获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体激光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114667652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980102290.1,技术领域涉及:H01S5/02255;该发明授权半导体激光装置是由小坂尚希;渊田步;中村直干设计研发完成,并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光装置在说明书摘要公布了:具备:半导体激光光源3,将光束中心Cb倾斜α地设置,使得具有朝向管座2的安装面2ft的成分;反射面4fm,使来自半导体激光光源3的激光朝向透镜6反射;以及第二反射面5fm,与反射面4fm的靠近半导体激光光源3侧的端部相连,并使激光朝向透镜6反射,反射面4fm以及第二反射面5fm中的一方由形成于测量激光的光量的PD芯片41的电介质多层膜构成,将反射面4fm的倾斜度β设定为从45°减去比倾斜度α小的值而得的值,将第二反射面5fm的倾斜度γ设定为从45°减去比倾斜度α大的值而得的值。
本发明授权半导体激光装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体激光装置,其特征在于,所述半导体激光装置具备:管座,相对于射出口隔开间隔且相对地配置有安装面;半导体激光光源,设置成光束中心具有朝向所述安装面的成分;反射面,使从所述半导体激光光源入射的激光朝向所述射出口反射;以及第二反射面,与所述反射面的靠近所述半导体激光光源侧的端部相连,并使从所述半导体激光光源入射的激光朝向所述射出口反射,所述反射面以及所述第二反射面中的一方由形成于测量所述激光的光量的光电二极管的电介质多层膜构成,若将在与所述安装面垂直且包含所述光束中心的面内的、所述光束中心相对于所述安装面的倾斜度设为α,则所述反射面相对于所述安装面的倾斜度β设定为从45°减去比α小的值而得的值,所述第二反射面相对于所述安装面的倾斜度γ设定为从45°减去比α大的值而得的值。
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