恭喜三星电子株式会社梁宇成获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112133701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010465074.8，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权三维半导体存储器件是由梁宇成;李东植;黄盛珉;任峻成设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：一种三维半导体存储器件可以包括：水平图案，设置在外围电路结构上并且彼此间隔开；存储器结构，分别设置在水平图案上，每个存储器结构包括存储单元的三维布置。穿透绝缘图案和分离结构可以使水平图案彼此隔离。贯通过孔可以延伸穿过穿透绝缘图案，以将外围电路结构的逻辑电路连接到存储器结构。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括：水平图案，设置在外围电路结构上并且在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；存储器结构，分别设置在所述水平图案上，每个所述存储器结构包括三维布置的存储单元；穿透绝缘图案，每个穿透绝缘图案设置在相邻的水平图案之间并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，每个穿透绝缘图案邻接所述水平图案的侧表面，贯通插塞，延伸穿过相应的穿透绝缘图案，以将所述存储器结构电连接到所述外围电路结构；以及分离结构，设置在所述水平图案之间并且在所述第二方向上在所述穿透绝缘图案之间延伸并且连接到所述穿透绝缘图案，其中，所述水平图案是第一材料层的一部分，并且其中，每个所述穿透绝缘图案穿透所述第一材料层，并且具有在所述水平图案的所述侧表面之间延伸的相对边界，并且所述相对边界具有由所述第一材料层限定的部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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