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龙图腾网恭喜思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110693368.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制作方法是由石文杰;王婉晴设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及半导体结构层，半导体结构层内具有多个感光像素区以及将多个感光像素区间隔开并贯穿半导体结构层的沟槽隔离结构，沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构，反射结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线，吸光结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线，吸光结构朝向电路连接层的一端伸入电路连接层内并与电路连接层电性连接。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能，吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线，从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰，而且吸光结构与电路连接层电性连接，从而可以在吸光结构上施加负电压，以降低暗电流。

本发明授权图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括电路连接层10、光学结构层30以及位于所述电路连接层10和所述光学结构层30之间的半导体结构层20，所述半导体结构层20内具有呈阵列分布的多个感光像素区21以及将多个所述感光像素区21间隔开并贯穿半导体结构层20的沟槽隔离结构22，所述感光像素区21内设有感光元件，所述沟槽隔离结构22包括相互对应的反射结构221和吸光结构222，该反射结构221的高度大于该沟槽隔离结构22高度的二分之一，所述反射结构221由折射率低于所述半导体结构层20的折射率的材料制成，所述反射结构221位于所述沟槽隔离结构22靠近所述光学结构层30的一端并用于反射光线，所述吸光结构222位于所述沟槽隔离结构22靠近所述电路连接层10的一端并用于吸收光线，所述吸光结构222朝向所述电路连接层10的一端伸入所述电路连接层10内并与所述电路连接层10电性连接，在工作状态时，所述电路连接层10向所述吸光结构222施加负电压。

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