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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109545896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811417502.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法是由万智;徐培强;林晓珊;张银桥;汪洋;王向武设计研发完成，并于2018-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，由于顶电池和中电池与衬底Ge晶格不匹配，需要一定厚度组分渐变的缓冲层来消除失配引起的应力。本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，它是将中电池基区层组分递变，即：本发明将空间GaInPInGaAsGe失配电池的中电池的p‑GaInAs基区层分为五个组分递变的递变层，递变层之间沉积组分缓变的过渡层。与常规GaInPInGaAsGe失配电池相比，消除了常规失配电池较厚的缓冲层，从而达到减少成本的目的。通过优化缓冲层生长速率、厚度和ⅤⅢ比来减少位错，降低因组分变化产生的复合，以达到常规失配结构的光电转化效率。

本发明授权一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，其特征在于：新结构中未生长常规失配电池结构中的缓冲层，在中电池基区中沉积组分递变的GaInAs层，递变层之间生长组分缓变的过渡层，具体步骤如下：提供一p-Ge衬底，运用AXITRON公司的金属有机化合物化学气相沉淀设备，在p-Ge衬底上依次沉积n-AlGaInP成核层，n-GaAs-GaInAs缓冲层，n++-GaAsp++-GaAs隧穿结层，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射层，p-GaInP背场层，p-GaInAs基区层，n-GaInAs发射区层，n-AlInP窗口层，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿结层，p-AlGaInP背场层，p-GaInP基区层，n-GaInP发射区层，n-AlInP窗口层和n+-GaAs欧姆接触层；在GaInP背场层上以650℃温度沉积p-GaInAs基区层，p-GaInAs基区层共九层，总沉积厚度为2.5μm；其中五层递变层每层0.3μm，In组分依次为Ga0.985In0.015As、Ga0.98In0.02As、Ga0.975In0.025As、Ga0.97In0.03As、Ga0.965In0.035As，掺杂DEZn源、掺杂浓度为2～8×1016cm-3；递变层之间生长过渡层，每层过渡层沉积厚度0.25μm，掺杂浓度都为2～8×1016cm-3；通过流量计控制In流量的线性渐变使得过渡层组分由下一层递变层缓变到上一层递变层的组分，生长速率1μmh，掺杂DEZn源、掺杂浓度都为2～8×1016cm-3。

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