恭喜纳微朗科技(深圳)有限公司颜改革获国家专利权
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龙图腾网恭喜纳微朗科技(深圳)有限公司申请的专利一种微型半导体发光器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110705796.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种微型半导体发光器件及其制造方法是由颜改革;谭胜友;朱酉良;蒋振宇;闫春辉设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型半导体发光器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底；第一功能层，包括顺序连接的第一子部、第二子部和第三子部；第二功能层，包括顺序连接的第四子部、第五子部和第六子部；发光二极管；其中，第一子部与第四子部组成支撑部，二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部，二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中，支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度，且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式，能够提高悬空发光部转移的成功率。
本发明授权一种微型半导体发光器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微型半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：在生长衬底上生长发光外延结构；形成第一功能层，其中，所述第一功能层至少覆盖所述发光外延结构背离所述生长衬底的一侧；在所述第一功能层背离所述发光外延结构的一侧形成转移衬底，其中，所述转移衬底与所述第一功能层之间局部形成有牺牲层；移除所述生长衬底，并外露出所述发光外延结构的一侧；形成第二功能层，其中，所述第二功能层至少覆盖所述发光外延结构背离所述转移衬底的一侧；移除所述牺牲层，以使所述发光外延结构、覆盖所述发光外延结构的所述第一功能层和覆盖所述发光外延结构的所述第二功能层与所述转移衬底无接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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