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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111590902.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法是由徐海铭;贺琪;廖远宝;徐政;吴素贞;唐新宇设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；制作不同深度与宽度P阱，形成倒三角P阱；制作源端和体接触端；进行低温湿氧氧化SiO2生长；进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端。倒三角P阱第一点是利用电荷平衡原理，降低导通电阻；第二点是在单粒子辐射环境下，单粒子在器件运动过程中产生的电子空穴对在电场作用下运动，其中空穴由基区的P阱流走，深入的倒三角P阱更有利于空穴吸收，实现具有更高VDMOS的抗单粒子能力。

本发明授权提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在其表面形成外延层；制作不同深度与宽度P阱，形成倒三角P阱；制作源端和体接触端；进行低温湿氧氧化SiO2生长；进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端；制作不同深度与宽度P阱具体为：第一次采用小条宽高能注，第二次采用中条宽中能注，第三次采用大条宽低能注入，包括：按照第一次P阱光罩的图形形成第一次P阱的图形；注入P型杂质并进行高温退火处理形成第一P阱；其中，所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为1E12-1E13cm-2，能量为1000-5000Kev；按照第二次P阱光罩的图形形成第二次P阱的图形；注入P型杂质并进行高温退火处理形成第二P阱；其中，所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为5E12-1E13cm-2，能量为100-500Kev；按照第三次P阱光罩的图形形成第三次P阱的图形；注入P型杂质并进行高温退火处理形成第三P阱；其中，所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为5E13-1E14cm-2，能量为50-80Kev；所述第一P阱、所述第二P阱和所述第三P阱形成倒三角图形，其中所述第一P阱在该倒三角图形的底部，所述第三P阱在顶部。

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