恭喜苏州腾芯微电子有限公司陈彪获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州腾芯微电子有限公司申请的专利三态内容寻址存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114360604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210029983.6,技术领域涉及:G11C15/04;该发明授权三态内容寻址存储器是由陈彪;吴浩设计研发完成,并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本三态内容寻址存储器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种三态内容寻址存储器,包括与TCAM单元连接的搜索线;所述搜索线配有升压电路;所述升压电路包括:设置在搜索线一侧且与搜索线形成耦合电容的金属线,以及与金属线连接的升压控制单元;所述升压控制单元在搜索线处于高电平时,将金属线设置为高电平;且金属线通过耦合电容提高处于高电平的局部搜索线的电压。本发明能在搜索线处于高电平时进一步提高搜索线的电压,搜索线电压提高后,可增大TCAM单元中为匹配线放电的NMOS管的VGS电压,从而可加大放电电流,可使匹配线放电速度变快,进而使匹配线求值速度变快,提高搜索操作的效率,进而提高三态内容寻址存储器的工作频率和性能。
本发明授权三态内容寻址存储器在权利要求书中公布了:1.三态内容寻址存储器,包括与TCAM单元连接的局部搜索线,以及用于驱动局部搜索线的全局搜索线;所述局部搜索线配有升压电路;所述升压电路包括:与局部搜索线形成第一耦合电容的第一金属线,以及与第一金属线连接的升压控制单元;所述升压控制单元在局部搜索线处于高电平时,将第一金属线设置为高电平;其特征在于,所述升压控制单元包括:升压控制信号线,第一反相器,第二反相器,第一PMOS管,第三PMOS管,第一NMOS管;所述升压控制信号线与第一反相器的输入端连接,第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接,第二反相器的输出端与第一金属线连接;所述升压控制信号线还与第一PMOS管的栅极连接;第一PMOS管的源极与电源连接,第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接,第三PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极连接,第一NMOS管的源极接地;所述全局搜索线与第三PMOS管的栅极连接,全局搜索线还与第一NMOS管的栅极连接;所述局部搜索线与第三PMOS管的漏极连接,局部搜索线还与第一NMOS管的漏极连接。
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