买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜苏州迈为科技股份有限公司申请的专利异质结太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210083031.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权异质结太阳能电池及其制备方法是由董刚强;郁操;彭振维;赵宇;冉孝超设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层；利用等离子体工艺对至少一侧的透明导电层进行等离子体处理；利用原子层沉积在等离子体处理后的透明导电层表面形成氧化锡层；利用等离子体工艺对氧化锡层进行等离子体处理，并进行退火处理；在退火处理后的氧化锡层表面形成种子层；利用电镀工艺在半导体衬底的两侧的种子层表面均分别形成金属电极。本发明可以降低电池的串联电阻，降低电池的制备成本，提升电池结构中各层与层之间的结合力，能确保电池的光电转换效率。

本发明授权异质结太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池的制备方法，所述异质结太阳能电池包括：半导体衬底；依次设置在所述半导体衬底的一侧表面的第一本征非晶硅层、第一掺杂层；依次设置在所述半导体衬底的另一侧表面的第二本征非晶硅层、第二掺杂层；以及位于所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上的透明导电层，所述透明导电层包括位于所述第一掺杂层上的第一透明导电层，以及位于所述第二掺杂层上的第二透明导电层；其特征在于，所述方法包括：使用磁控溅射镀膜设备沉积所述透明导电层；利用等离子体工艺对所述半导体衬底至少一侧的所述透明导电层进行等离子体处理；利用原子层沉积在等离子体处理后的所述透明导电层表面形成氧化锡层；利用等离子体工艺对所述氧化锡层进行等离子体处理，并进行退火处理；使用磁控溅射镀膜设备沉积在退火处理后的所述氧化锡层表面形成种子层，或者使用磁控溅射镀膜设备沉积在未经等离子体处理的所述透明导电层表面形成种子层；利用电镀工艺在所述半导体衬底的两侧的所述种子层表面均分别形成金属电极；所述方法还包括利用刻蚀液去除至少部分所述种子层；所述透明导电层和所述氧化锡层的厚度之和为50nm～120nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州迈为科技股份有限公司，其通讯地址为：215200 江苏省苏州市吴江区芦荡路228号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。