恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所应利良获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210107776.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法是由应利良;林倩;石炜峰;任洁;王镇设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法，通过对光刻胶层进行图形化形成光刻窗口，并基于该光刻窗口形成超导连接层，然后在该超导连接层上形成上层超导金属层，实现上下两层超导金属层通过超导连接层的电性连通。由于光刻胶层是通过曝光显影形成光刻窗口，光刻窗口的形状非常规则，所以形成的超导连接层形状非常规则，同时上层超导金属层形成于该规则的超导连接层上，如此实现预设层数超导金属层的互连，得到的电连接结构具有方块电感特点，电感值小且易控制；另外，电连接通路图形规整完好，大幅提升孔洞的导通承载电流，且电流路径没有弯折，电流分布均匀；最后，光刻窗口工艺密度大，可以有效降低电连接结构体积。
本发明授权应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1，提供衬底，所述衬底上形成有第一超导金属层，并于所述衬底上形成第一绝缘层；S2，刻蚀所述第一绝缘层至裸露出所述第一超导金属层的表面；S3，于上述结构上涂覆光刻胶层，并进行图形化，形成光刻窗口，所述光刻窗口裸露出后续需要连通的部分所述第一超导金属层的表面；S4，于上述结构上形成一层超导材料层；S5，去除所述光刻胶层及该光刻胶层上的所述超导材料层，剩余的所述超导材料层形成为超导连接层；S6，于上述结构上形成第二绝缘层；S7，刻蚀所述第二绝缘层至裸露出所述超导连接层的表面；S8，于上述结构上形成第二超导金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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