恭喜复旦大学;复旦大学义乌研究院丛春晓获国家专利权
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龙图腾网恭喜复旦大学;复旦大学义乌研究院申请的专利一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210142702.8，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法是由丛春晓;仇志军;单亚兵;朱俊嫱设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法在说明书摘要公布了：本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。
本发明授权一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法，其特征在于，具体步骤为：（1）采用柔性材料作为衬底；（2）在衬底上沉积一层氧化物材料；（3）将二维半导体材料转移至衬底上；（4）在二维半导体材料两端形成金属电极；（5）在步骤（4）得到材料上旋涂一层有机物；（6）在有机物上转移一层BN材料；（7）最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料；所述的二维半导体材料为MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、黑磷中的一种，二维半导体材料的厚度为单原子层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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