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龙图腾网恭喜深圳乐成光电有限公司申请的专利光栅制作方法及光栅尺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119162557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411669993.1，技术领域涉及：C23C14/54；该发明授权光栅制作方法及光栅尺是由毛利良设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本光栅制作方法及光栅尺在说明书摘要公布了：本发明属于光学元件技术领域，公开了一种光栅制作方法及光栅尺，其中光栅制作方法包括，将待光刻基材放入磁控溅射装置真空腔室，依次用不同靶材及特定溅射功率和入射角度镀制三层介质膜，即第一靶材以小于等于15°入射角度在基材上形成第一介质膜，第二靶材垂直于第一介质膜入射形成第二介质膜，第三靶材以小于等于15°入射角度在第二介质膜上形成第三介质膜，之后对三层介质膜光刻、蚀刻得到光栅。本发明通过不同原子在溅射时的不同入射角度镀制形成多层结构光栅膜，有效减少膜层空洞和不均匀性，提高整体致密性和平整度，增加了机械咬合和化学键合的机会，增强了各层之间的结合强度，提高了光栅在不同环境下的稳定性和耐久性。

本发明授权光栅制作方法及光栅尺在权利要求书中公布了：1.一种光栅制作方法，其特征在于，包括：将待光刻基材通过夹具放入磁控溅射装置的真空腔室内，使预设的第一靶材通过第一预定溅射功率溅射沉积在所述待光刻基材上，镀制形成第一介质膜，其中所述第一靶材的溅射原子在所述待光刻基材上的入射角度小于或等于15°；将预设的第二靶材通过第二预定溅射功率溅射沉积在所述第一介质膜上，镀制形成第二介质膜，其中所述第二靶材的溅射原子的入射角度垂直于所述第一介质膜；将预设的第三靶材通过第三预定溅射功率溅射沉积在所述第二介质膜上，镀制形成第三介质膜，其中所述第三靶材的溅射原子在所述第二介质膜上的入射角度小于或等于15°；按照预设光栅图形，对所述第一介质膜、所述第二介质膜和所述第三介质膜进行光刻，之后经蚀刻得到光栅；所述按照预设光栅图形，对所述第一介质膜、所述第二介质膜和所述第三介质膜进行光刻的步骤，包括：在所述第三介质膜上旋涂预设的光刻胶，使所述光刻胶的厚度达到第五预设膜厚，得到涂胶样品；所述在所述第三介质膜上旋涂预设的光刻胶的步骤，包括：将所述光刻胶滴至所述第三介质膜的中心位置形成第一光刻胶，以及在以所述第一光刻胶为中心且离心率为小于或等于0.8的椭圆上，将所述光刻胶滴至所述椭圆的周长上形成多个第二光刻胶，得到待旋转样品，其中，所述第一光刻胶与所述第二光刻胶相互对称。

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