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龙图腾网恭喜成都芯金邦科技有限公司申请的专利芯片封装打线接合补偿方法和结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733182.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权芯片封装打线接合补偿方法和结构是由余志新;杨志忠设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装打线接合补偿方法和结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片封装打线接合补偿方法和结构，设计芯片封装技术领域，打线接合包括采用键合线在芯片与封装基板之间建立电气连接，方法包括：对芯片封装打线接合形成的信号链路进行分节，将划分的每节信号链路定义为子信号链路；获取信号链路的特性阻抗；测量打线接合位置所在子信号链路的电感值；设置补偿电容器，对打线接合造成的电感效应进行补偿；其中，根据每个子信号链路的阻抗值与特性阻抗相等的设计原则，利用打线接合位置所在子信号链路的电感值计算打线接合位置所在子信号链路所需的补偿电容值。本发明利用补偿电容器来补偿打线接合产生的电感效应，从而提高信号完整性和系统的稳定性，同时提升系统性能。

本发明授权芯片封装打线接合补偿方法和结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装打线接合补偿方法，所述打线接合包括采用键合线在芯片与封装基板之间建立电气连接，其特征在于，包括：对芯片封装打线接合形成的信号链路进行分节，将划分的每节信号链路定义为子信号链路，每个子信号链路的长度相等；获取信号链路的特性阻抗；测量打线接合位置所在子信号链路的电感值；设置补偿电容器，对打线接合造成的电感效应进行补偿；其中，根据每个子信号链路的阻抗值与特性阻抗相等的设计原则，利用打线接合位置所在子信号链路的电感值计算打线接合位置所在子信号链路所需的补偿电容值，在打线接合位置设置与所述补偿电容值大小相等的补偿电容器；所述封装基板包括第一连接层和第二连接层，所述芯片通过键合线与第一连接层上的金属线路相连，所述第二连接层与第一连接层之间存在间隙；所述设置补偿电容器，包括：在第二连接层与第一连接层上打线接合位置的对应位置设置金属片，所述金属片与第一连接层上打线接合位置的金属线路之间构成补偿电容器；所述金属片完全布置于第二连接层上与打线接合位置所在的子信号链路相对的区间内。

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