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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件、制备方法、读写方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411759870.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件、制备方法、读写方法及存储器是由周成设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、制备方法、读写方法及存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件、制备方法、读写方法及存储器，该半导体器件包括：衬底、有源柱、存储单元以及栅极字线结构。其中，有源柱设置于衬底上，且有源柱沿着远离衬底的第一方向延伸。存储单元有多个，多个存储单元沿着第一方向并列设置，且存储单元耦合于有源柱的侧壁。栅极字线结构有多个，多个栅极字线结构沿着第一方向并列且间隔设置并用于控制有源柱中沟道的通断，且相邻的两个栅极字线结构之间均设置有存储单元。该半导体器件能够规避平面器件所受到的尺寸微缩的问题，从而显著提高该器件的存储密度。

本发明授权半导体器件、制备方法、读写方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；有源柱，所述有源柱设置于所述衬底上，且所述有源柱沿着远离所述衬底的第一方向延伸；存储单元，所述存储单元有多个，多个所述存储单元沿着所述第一方向并列设置，且所述存储单元耦合于所述有源柱的侧壁；以及，栅极字线结构，所述栅极字线结构有多个，多个所述栅极字线结构沿着所述第一方向并列且间隔设置并用于控制所述有源柱中沟道的通断，且所述第一方向上相邻的两个所述栅极字线结构之间均设置有所述存储单元；所述存储单元环绕所述有源柱设置，所述栅极字线结构环绕所述有源柱设置；所述有源柱有多个，多个所述有源柱沿着与所述第一方向相交的第二方向并列且间隔设置，各所述栅极字线结构也沿着所述第二方向延伸，且所述栅极字线结构用于控制在所述第二方向上并列设置的多个所述有源柱中沟道的通断；所述半导体器件还包括公共电极，所述公共电极设置于相邻两个所述有源柱之间，且相邻两个所述有源柱上耦合的所述存储单元均电连接于所述公共电极。

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