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龙图腾网恭喜安盈半导体技术(常州)有限公司申请的专利一种基于温度响应的芯片测试方法及测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510052302.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种基于温度响应的芯片测试方法及测试系统是由薛冰设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于温度响应的芯片测试方法及测试系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于温度响应的芯片测试方法及测试系统，属于芯片测试技术领域，包括：建立可控温区环境，产生第一温度区间，并设置至少两个温度变化速率；接收来自芯片测试过程中采集到的第一采集数据，对第一采集数据进行分析；在芯片测试过程中，进行局部温差控制，并记录梯度温度分布情况；结合第一采集数据的分析结果，与局部温差控制过程中记录到的梯度温差分布情况进行耦合，对芯片进行动态温度响应分析。在本申请的技术方案实施过程中，通过建立可控温区环境及局部温差控制，模拟芯片的使用场景，并考虑芯片在集成电路中的布局进行温度响应测试，优化芯片的设计以及布局，提高芯片的运行稳定性。

本发明授权一种基于温度响应的芯片测试方法及测试系统在权利要求书中公布了：1.一种基于温度响应的芯片测试方法，其特征在于：包括：建立可控温区环境，产生第一温度区间，并设置至少两个温度变化速率，在第一温度区间内，根据所设置的温度变化速率对芯片进行测试数据采集；接收来自芯片测试过程中采集到的第一采集数据，对第一采集数据进行分析，并根据不同的温度变化速率对芯片进行温度响应分析；在芯片测试过程中，进行局部温差控制，并记录梯度温度分布情况；结合第一采集数据的分析结果，与局部温差控制过程中记录到的梯度温差分布情况进行耦合，对芯片进行动态温度响应分析；对芯片的动态温度响应分析结果进行时间序列分析与数据挖掘，获取芯片在不同环境下的变化趋势；所述第一采集数据包括芯片在各个温度变化速率下的负载状态以及功耗，其中，负载状态为芯片的时钟频率，功耗数据反映了芯片在不同温度下的能量消耗情况；根据不同的温度变化速率对芯片进行温度响应分析进一步包括以下步骤：确定芯片在不同温度变化速率下的性能拐点，该性能拐点表示芯片在单位功耗下的时钟频率变化率最大；根据性能拐点，评估芯片在不同温度变化速率下的性能稳定性，从而判断芯片是否能在实际应用中保持稳定运行；重复对芯片进行性能稳定性的测试步骤，对芯片进行循环测试，并收集和分析多次测试数据，以获取更为精确的性能拐点数据；性能拐点的获取方法为：获取芯片在各个温度变化速率下的时钟频率和功耗数据，并按照功耗变化情况计算单位功耗下的时钟频率变化率，然后将不同功耗变化过程中的芯片时钟频率变化按照相同的方法计算，得到的结果中，最大值所在时钟频率即为芯片的性能拐点。

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