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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111318036.0，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体器件是由朴修益;成演准;金珉成;李容京;李恩得设计研发完成，并于2017-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层、以及部分第一导电半导体层的多个凹槽；多个第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，多个第一电极接触设置在多个凹槽的顶表面上的第一导电半导体层，其中，第二电极接触第二导电半导体层，其中，第一面积：第二面积的范围是从1：3至1：10，第一面积为多个第一电极和第一导电半导体层接触的区域的面积，第二面积为第二电极和第二导电半导体层接触的区域的面积。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在该发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层、以及部分所述第一导电半导体层的多个凹槽；多个第一电极，电连接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到所述第二导电半导体层，其中，所述多个第一电极接触设置在所述多个凹槽的顶表面上的所述第一导电半导体层，其中，所述第二电极接触所述第二导电半导体层，其中，第一面积：第二面积的范围是从1：3至1：10，所述第一面积为所述多个第一电极和所述第一导电半导体层接触的区域的面积，所述第二面积为所述第二电极和所述第二导电半导体层接触的区域的面积。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州立琻半导体有限公司，其通讯地址为：215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。