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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件以及半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111318032.2，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体器件以及半导体器件封装是由朴修益;成演准;金珉成;李容京;李恩得设计研发完成，并于2017-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件以及半导体器件封装在说明书摘要公布了：实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在该发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层、以及部分第一导电半导体层的多个凹槽；第一电极，电连接到第一导电半导体层；第二电极，电连接到第二导电半导体层；第一导电层，与第一电极电连接；第二导电层，与第二电极电连接，第二导电半导体层包括设置在第一方向上最邻近的两个凹槽之间的1‑1表面，1‑1表面包括设置有在第一方向上彼此间隔开的多个第二电极的第一部分和设置在多个第二电极之间的第二部分，第二导电层设置在第一部分和第二部分之间，第二部分与第一部分在第一方向上的宽度比在1：0.7至1：5的范围内。

本发明授权半导体器件以及半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在该发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层、以及部分所述第一导电半导体层的多个凹槽；第一电极，通过接触设置在所述多个凹槽的顶表面上的所述第一导电半导体层而电连接到所述第一导电半导体层；第二电极，通过接触所述第二导电半导体层而电连接到所述第二导电半导体层；第一导电层，与所述第一电极电连接；以及第二导电层，与所述第二电极电连接，其中，所述第二导电半导体层包括设置在第一方向上最邻近的两个凹槽之间的1-1表面，并且所述第一方向是与所述发光结构的厚度方向垂直的方向，其中，所述1-1表面包括设置有在所述第一方向上彼此间隔开的多个第二电极的第一部分和设置在所述多个第二电极之间的第二部分，其中，所述第二导电层覆盖所述第二电极，并且位于相邻第二电极之间，其中，所述第二部分与所述第一部分在第一方向上的宽度比在1：0.7至1：5的范围内，其中，所述第一部分在所述第一方向上的宽度在12μm至24μm的范围内，所述第二部分在所述第一方向上的宽度在5μm至16μm的范围内，其中，所述第二导电半导体层具有与所述第二电极相对的第一表面，所述第一表面包括所述1-1表面，其中，所述第一表面包括与所述第二电极彼此接触的第一接触面积以及与所述第二电极彼此不接触的第二接触面积，以及其中，所述第二接触面积与所述第一接触面积的比率在1：0.7至1：6的范围内。

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