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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于半导体工艺的方法与半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110556339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910085479.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于半导体工艺的方法与半导体装置是由余德伟;陈建豪;梁品筑;杨仪辰设计研发完成，并于2019-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体工艺的方法与半导体装置在说明书摘要公布了：一种用于半导体工艺的方法，此处所述的实施例一般关于形成栅极层于高深宽比的沟槽中的方法，其采用循环沉积‑处理工艺。在一实施例中，方法包括对具有至少一结构的基板表面进行膜沉积工艺以形成顺应膜，且顺应膜形成于结构的下表面上并沿着结构的多个侧壁表面；对基板表面进行处理工艺，以形成个别的卤素表面层或个别的卤素封端层于侧壁表面的个别上侧部分上的顺应膜上；以及按序重复进行膜沉积工艺与处理工艺，以将顺应膜填入结构。

本发明授权用于半导体工艺的方法与半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺的方法，包括：形成多个鳍状物于一基板上，且所述多个鳍状物的多个侧壁与一下表面定义所述多个鳍状物之间的一沟槽；将一栅极层填入该沟槽，包括在一工艺腔室中的该基板上进行一循环的沉积-处理工艺，且该循环的沉积-处理工艺包括：形成该栅极层的第一部分于该沟槽中，且该栅极层的第一部分沿着所述多个鳍状物的所述多个侧壁；形成个别的多个钝化层于所述多个鳍状物的个别顶部的该栅极层的第一部分上；以及形成该栅极层的第二部分于所述多个钝化层未覆盖的该栅极层的第一部分上；以及在将该栅极层填入该沟槽之后，图案化该栅极层以形成一栅极结构于所述多个鳍状物上。

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