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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010453083.5，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权非易失性存储器器件是由宋时虎;金英培;金杜应;赵昶贤设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器器件在说明书摘要公布了：公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。

本发明授权非易失性存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器器件，所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，包括第一组存储器单元和第二组存储器单元；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，被配置为产生要供应到从第一组字线或第二组字线选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，被配置为接收来自外部主机装置的地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量，其中，存储器单元阵列包括：基底，包括与由第一方向和第二方向限定的平面对应的上表面；垂直导电材料，沿第二方向彼此隔开，其中，垂直导电材料在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸并且与位线对应；第一绝缘层和第一存储器单元，在垂直导电材料的第一侧表面上沿第三方向堆叠；第一导电材料，在第一存储器单元的第一侧表面上沿第二方向延伸，其中，第一导电材料与第一组字线对应；第二绝缘层和第二存储器单元，在垂直导电材料的第二侧表面上沿第三方向堆叠，垂直导电材料的第二侧表面背对垂直导电材料的第一侧表面；以及第二导电材料，在第二存储器单元的第二侧表面上沿第二方向延伸，其中，第二导电材料与第二组字线对应，并且其中，控制逻辑块还被配置为根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。

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