恭喜美光科技公司西冈直久获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利多个边缘硅穿孔以及相关系统、方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010769221.0，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权多个边缘硅穿孔以及相关系统、方法和装置是由西冈直久设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本多个边缘硅穿孔以及相关系统、方法和装置在说明书摘要公布了：公开了多个边缘硅穿孔TSV以及相关系统、方法和装置。一种电子装置包含芯片堆叠、第一TSV和第二TSV。所述芯片堆叠包含所述芯片堆叠的周界处的一或多个侧边缘。所述芯片堆叠的TSV区位于距所述一或多个侧边缘的预定距离内。所述第一TSV在距所述一或多个侧边缘第一距离处位于所述芯片堆叠的所述TSV区内。所述第二TSV在距所述一或多个侧边缘第二距离处位于所述芯片堆叠的所述TSV区内。所述第二距离比所述第一距离短。
本发明授权多个边缘硅穿孔以及相关系统、方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其包括：芯片堆叠，所述芯片堆叠包含所述芯片堆叠的周界处的一或多个侧边缘，所述芯片堆叠的硅穿孔区TSV区位于距所述一或多个侧边缘的预定距离内；第一TSV，所述第一TSV在距所述一或多个侧边缘的第一距离处位于所述芯片堆叠的所述TSV区内；第二TSV，所述第二TSV在距所述一或多个侧边缘的第二距离处位于所述芯片堆叠的所述TSV区内，所述第二距离比所述第一距离短；以及控制电路系统，所述控制电路系统位于所述芯片堆叠中的控制芯片上或中，所述控制电路系统被配置成标识距所述一或多个侧边缘的最小可接受TSV距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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