恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑新立获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路、半导体结构及形成沟槽电容器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011563976.1，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权集成电路、半导体结构及形成沟槽电容器的方法是由郑新立;林均颖;亚历山大卡尔尼斯基;黄士芬;苏淑慧;许庭祯;简铎欣;徐英杰;吴细闵;张聿骐设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路、半导体结构及形成沟槽电容器的方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种包含邻接沟槽电容器的柱结构的集成电路IC。衬底具有定义沟槽的多个侧壁。沟槽延伸到衬底的前侧表面中。沟槽电容器包含多个电容器电极层和多个电容器介电层，多个电容器电极层和多个电容器介电层分别衬于沟槽且定义衬底内的空腔。柱结构设置于衬底内。柱结构具有第一宽度和小于第一宽度的第二宽度。第一宽度与衬底的前侧表面对准，且第二宽度与设置在前侧表面之下的第一点对准。
本发明授权集成电路、半导体结构及形成沟槽电容器的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：衬底，包括定义沟槽的多个侧壁，其中所述沟槽延伸到所述衬底的前侧表面中；沟槽电容器，包括多个电容器电极层和多个电容器介电层，所述多个电容器电极层和所述多个电容器介电层分别衬于所述沟槽且定义所述衬底内的空腔；以及柱结构，设置于所述衬底内且邻接所述沟槽，其中所述柱结构具有第一宽度和小于所述第一宽度的第二宽度，其中所述第一宽度与所述衬底的所述前侧表面对准且所述第二宽度与设置在所述前侧表面之下的第一点对准，其中所述多个电容器电极层和所述多个电容器介电层与所述柱结构的侧壁共形。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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