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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种基于柔性衬底的两级低噪声放大器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210045871.X，技术领域涉及：H03F3/195；该发明授权一种基于柔性衬底的两级低噪声放大器及其制作方法是由秦国轩;胡开龙设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于柔性衬底的两级低噪声放大器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器及其制作方法，该电路拓扑结构包括六个电感即第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5和第六电感L6、三个电容即第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、两个晶体管即第一晶体管T1、第二晶体管T2以及若干互联线。与现有技术相比，与现有技术相比，本发明具有设计性能优秀、模型准确、实际电路受寄生等非理想特性影响小的优点。

本发明授权一种基于柔性衬底的两级低噪声放大器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器，其特征在于，该低噪声放大器电路拓扑结构包括六个电感即第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5和第六电感L6、三个电容即第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、两个晶体管即第一晶体管T1、第二晶体管T2以及若干互联线；其中，第一电感L1、第二电感L2以及第一电容C1构成T型输入匹配网络，第四电感L4和第二C2构成了级间匹配网络，第六电感L6和第三电容C3构成了输出L型匹配网络，第三电感L3与电感L5分别对第一晶体管T1、第二晶体管T2起到负反馈作用，保证电路稳定性；所述基于柔性PET衬底的两级低噪声放大器依照以下过程制作而成：步骤一：使用ADS射频电路仿真软件生成低噪声放大器电路拓扑结构；步骤二、在ADS射频电路中对电容\电感值进行优化；步骤三、绘制掩膜板，在柔性PET衬底上分别制作出离子注入区、孔层区、顶部金属层以及电容、电感区；步骤四、首先通过高浓度的磷离子注入在绝缘衬底上的硅SOI上，以形成源极和漏极区域，随后对其进行退火以获得更高的迁移率和更低的内阻有助于实现更高的频率响应；步骤五、然后对SOI上的顶层硅进行图形化为宽约45μm的硅条，并使用氢氟酸对SOI上的埋氧牺牲层进行腐蚀直到被49%浓度的氢氟酸完全腐蚀掉；使用湿法转移技术将硅条转移到250μm的聚对PET衬底上，转移率大于99%；随后在栅区域使用真空电子束蒸发法分别生长电介质层SiO的栅介质层TiAu的栅极；最后在源漏区域生长出源极、漏极，以形成柔性薄膜晶体管；步骤六、在PET衬底上使用电子束蒸发法淀积并光刻出30nm400nm厚的TiAu金属层M1，在制造过程中螺旋电感与金属-绝缘体-金属MIM电容的底层金属层M1制造过程完全兼容，并用作MIM电容的底部电极和螺旋电感的引线；步骤七、在室温条件下用真空电子束蒸发了厚度为200nm的电介质层SiO，之后在电介质层SiO上蒸发淀积出另一层30nm400nm厚TiAu金属作为MIM电容器的上极板层M2；步骤八、在上极板层M2上旋涂一层SU-8作为底层金属与顶层金属的层间介质以形成MIM电容器，电感器形成引线层M1后在再次旋涂一层介质层，并对其曝光用于连接引线层M1与顶层通孔，然后在紫外线照射和115℃下使其固化；步骤九、用电子束蒸发的方式生长一层30nm1.5μm厚的TiAu作为顶层的金属层M3。

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