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龙图腾网恭喜晶澳(扬州)太阳能科技有限公司申请的专利一种太阳能电池选择性发射极的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210084988.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池选择性发射极的制备方法及太阳能电池是由曹兵;陈斌;蒋秀林设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池选择性发射极的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池选择性发射极的制备方法及太阳能电池，该方法包括如下步骤：步骤S1，对衬底进行掺杂元素的扩散，在所述衬底的表面形成轻掺杂层并在轻掺杂层上形成包含所述掺杂元素的重掺杂区扩散源层；步骤S2，通过电子束对所述重掺杂区扩散源层的预定区域进行照射以使所述掺杂元素进一步向所述衬底扩散，使得对应于所述预定区域的所述衬底的表面形成重掺杂区，预定区域之外的所述衬底的所述表面形成轻掺杂区。本发明的制备方法，以重掺杂区扩散源层作为扩散源，通过对重掺杂区扩散源层的预定区域进行照射，使得重掺杂区扩散源层中的掺杂元素进一步向衬底扩散，能够形成图案化的重掺杂区，并使所得的重掺杂区具有较高的表面掺杂浓度。

本发明授权一种太阳能电池选择性发射极的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，对衬底进行掺杂元素的扩散，在所述衬底的表面形成轻掺杂层并在所述轻掺杂层上形成包含所述掺杂元素的重掺杂区扩散源层；以及步骤S2，通过电子束对所述重掺杂区扩散源层的预定区域进行多次照射以使所述掺杂元素进一步向所述衬底扩散，使得对应于所述预定区域的所述衬底的表面形成重掺杂区，所述预定区域之外的所述衬底的所述表面形成轻掺杂区，所述重掺杂区的表面浓度大于所述轻掺杂区的表面浓度；所述电子束的加速电压为0.1～50kV；和或，所述电子束的剂量为1.0E14～1.0E18cm3；通过对x、y两相互垂直方向上电场的调节，将所述电子束照射在所述重掺杂区扩散源层的预定区域上；通过调节与所述电子束扫描方向垂直的方向上的电场来控制栅线的间距。

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