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龙图腾网恭喜丹东华顺电子有限公司申请的专利一种硅的深槽刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114477077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210127595.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种硅的深槽刻蚀方法是由葛雷;杨小正;傅瑜设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅的深槽刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅的深槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：S1：预热；S2：调整外部因素；S3：沉积；S4：刻蚀；S5：侧壁改善，然后通过第二沉积气体在刻蚀界面的侧壁形成第二保护层，附着在第一保护层的表面；S6：交替循环执行S3、S4、S5直到刻蚀达到预定的深度，且在交替循环过程中，第一沉积气体和第二沉积气体的各组分的混合量均随刻蚀深度的变化而动态调整；S7：结束刻蚀。本发明方法能应用于超高深宽比沟槽结构的刻蚀，通过将一个刻蚀循环分解为沉积、刻蚀以及侧壁改善三个子过程，双重侧壁沉积可大大改善侧壁的形貌，解决了现有的深槽刻蚀方法加工效率低下，且侧壁形貌不够理想的问题。

本发明授权一种硅的深槽刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种硅的深槽刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：预热，对硅材以及第一沉积气体、第二沉积气体、刻蚀气体均预热至25～30℃；S2：调整外部因素，控制外部刻蚀环境温度至25～30℃，外部环境湿度至40％～70％；S3：沉积，通过第一沉积气体生成第一保护层以对刻蚀侧壁进行保护；S4：刻蚀，通过刻蚀气体对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；S5：侧壁改善，提供第二沉积气体，并通过超声设备对第二沉积气体进行空化作用，然后通过第二沉积气体在刻蚀界面的侧壁形成第二保护层，附着在第一保护层的表面；S6：交替循环执行S3、S4、S5直到刻蚀达到预定的深度，且在交替循环过程中，第一沉积气体和第二沉积气体的各组分的混合量均随刻蚀深度的变化而动态调整；S7：结束刻蚀。

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