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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210799338.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用是由何军;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用在说明书摘要公布了：本申请涉及无机半导体材料技术领域，特别涉及一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用。本申请提供的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料。本申请通过范德华外延技术，通过调控生长参数在范德华衬底上制备得到了硅基二维氮化镓，其结晶质量高、稳定性好、制备成本低、合成速度快、尺寸和厚度可调，可作为光电探测器的光探测部件，用于紫外探测。

本发明授权一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料；所述制备方法包括以下步骤：在硅片A的表面制备范德华材料，得到硅片-范德华材料复合基底；将镓源压印在硅片B的表面，得到金属镓膜，静置，形成氧化镓膜；将硅片-范德华材料复合基底倒扣在氧化镓膜的上方，之后共同放置在双温区管式炉的后温区，将氮源置于双温区管式炉的前温区，在氢气-氩气的混合氛围中加热反应，反应结束后冷却，即得到硅基二维氮化镓材料；所述范德华材料选用云母、氮化硼或石墨的任一种；双温区管式炉前温区的温度设置为130-180℃，双温区管式炉后温区的温度设置为800-1050℃；氢气的流量为10-50sccm，氩气的流量为40-200sccm；硅片-范德华材料复合基底与氧化镓膜之间间隔0.3-3mm。

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