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龙图腾网恭喜深圳市创芯微微电子有限公司申请的专利一种正端充放电的电池保护芯片及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115800424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211191470.1，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种正端充放电的电池保护芯片及系统是由陈钢;朱治鼎;王蒙设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种正端充放电的电池保护芯片及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种正端充放电的电池保护芯片及系统，电池保护芯片包括驱动电路，该驱动电路包括充电控制支路，充电控制支路的过充电保护输出端用于连接电池的正端充电电路上的充电开关管，充电控制支路包括上拉单元和下拉单元，上拉单元连接充电电压，并通过获取电池电压和充电电压对过充电保护输出端形成上拉，下拉单元接地，并通过获取电池电压和基准电压对过充电保护输出端形成下拉，当电池电压小于基准电压与MOS管的开启电压的和，且充电电压大于电池电压时，下拉单元的下拉大于上拉单元的上拉，使得过充电保护输出端为低电平，促使充电开关管关断，从而在电池电压较小时避免对电池充电造成电池损伤，以保护电池来提高电池的使用寿命。

本发明授权一种正端充放电的电池保护芯片及系统在权利要求书中公布了：1.一种正端充放电的电池保护芯片，其特征在于，所述电池保护芯片包括驱动电路，所述驱动电路包括充电控制支路，所述充电控制支路的过充电保护输出端用于连接设置在电池的正端充电电路上的充电开关管；所述充电控制支路包括上拉单元和下拉单元；所述上拉单元包括第一PMOS管和第一限流元件，所述第一PMOS管的源极用于连接所述正端充电电路，以获取所述正端充电电路的充电电压，所述第一PMOS管的栅极用于连接所述电池的电压检测电路，以获取所述电池的电池电压，所述第一PMOS管的漏极通过所述第一限流元件连接所述过充电保护输出端；所述下拉单元包括第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述第二PMOS管的源极用于连接所述电压检测电路，所述第二PMOS管的栅极连接基准电压；所述第一NMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的漏极用于连接所述正端充电电路；所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的漏极连接所述过充电保护输出端；所述第二PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的源极均接地；当所述电池电压小于所述基准电压与所述第二PMOS管的开启电压的和，且所述充电电压大于所述电池电压时，所述第二NMOS管的下拉大于所述第一PMOS管的上拉，使得所述过充电保护输出端为低电平。

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