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龙图腾网恭喜北京中科格励微科技有限公司申请的专利MEMS元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117923416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410029440.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS元件及其制作方法是由赵婷设计研发完成，并于2024-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提出一种MEMS元件及其制作方法，属于半导体技术领域。MEMS元件包括：一个或多个MEMS单元、设置于MEMS单元上的走线层，绝缘设置于走线层背离MEMS单元一侧的一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，第一电极和第二电极间隔设置；一个或多个MEMS单元的第一端子通过走线层与一个或多个第一电极电连接，一个或多个MEMS单元的第二端子通过走线层与一个或多个第二电极电连接；多个MEMS单元之间通过走线层电连接。本公开通过走线层既实现MEMS单元与各电极的电连接，同时还实现多个MEMS单元之间的电连接，应用更为灵活，并且在实际应用时无需额外设计重新分布层或施加其他引线方式。

本发明授权MEMS元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：基于一套掩膜版在一张或多张晶圆上形成密集排布、相互绝缘且通过衬底连接的多个MEMS单元；多个所述MEMS单元通过划线槽相邻接，且所述MEMS单元具有暴露于该MEMS单元表面的第一端子和第二端子；根据需要的MEMS元件尺寸和规格设计用于制作走线层的一个掩膜版，以及用于制作第一电介质层、第一电极连接通孔、第二电极连接通孔的三个掩膜版，并对已制作出MEMS单元的晶圆进行加工，包括：通过走线层的掩膜版在一个或多个MEMS单元的第一端子和第二端子上形成走线部，多个MEMS单元上的第一端子与第二端子通过所述走线部电连接；通过第一电介质层的掩膜版在所述走线层上形成第一电介质层，并通过其他两个电极连接通孔的掩膜版在所述第一电介质层上间隔开设一个或多个第一电极连接通孔和一个或多个第二电极连接通孔；在所述一个或多个第一电极连接通孔内对应形成一个或多个第一电极，在所述一个或多个第二电极连接通孔内对应形成一个或多个第二电极。

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