恭喜电力荡半导体有限公司大卫·A·霍夫曼获国家专利权
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龙图腾网恭喜电力荡半导体有限公司申请的专利采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111239841.4，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元是由大卫·A·霍夫曼设计研发完成，并于2016-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元在说明书摘要公布了：一种SRAM单元包括第一反相器，所述第一反相器具有经由第一电阻器耦接到第二反相器的输入引线的输出引线。第二反相器的输出引线通过第二电阻器耦接到第一反相器输入引线。第一写位线经由第一开关耦接到第一反相器输入引线，第二写位线经由第二开关耦接到第二反相器输入引线。由于电阻器的原因，驱动写位线的电路在向单元写入数据时不必使反相器过负荷。单元是包括几列SRAM单元的阵列的一部分，每列耦接到一对写位线。谐振振荡器用正弦波驱动写位线。这减少了SRAM阵列消耗的功率。
本发明授权采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元在权利要求书中公布了：1.一种结构，包括：谐振电路，用于在谐振器输出引线上提供谐振输出信号；SRAM单元，包括第一输入引线和电源引线，所述谐振输出信号在第一电压和第二电压之间谐振，所述第一电压被所述SRAM单元解释为逻辑零，所述第二电压被所述SRAM单元解释为逻辑一；以及第一开关，用于将所述谐振器输出引线耦接至所述第一输入引线，以在将DC电压施加到所述电源引线的同时将数据存储到所述SRAM单元中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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