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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利硅基薄膜和形成该薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116180042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310191132.6，技术领域涉及：C23C16/24；该发明授权硅基薄膜和形成该薄膜的方法是由雷新建;A·麦利卡尔珠南;M·R·麦克唐纳德;萧满超设计研发完成，并于2015-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基薄膜和形成该薄膜的方法在说明书摘要公布了：本文公开的是硅基薄膜和用于形成所述薄膜的组合物和方法。所述硅基薄膜包含50原子％的硅。一方面，所述硅基薄膜具有组成SixCyNz，其中通过XPS测量，x为约0到约55，y为约35到约100，和z为约0到约50原子重量wt.百分比％。另一方面，所述硅基薄膜采用至少一种有机硅前体沉积，所述有机硅前体包含两个硅原子、至少一个Si‑Me基，和硅原子之间的亚乙基或亚丙基连接，例如1,4‑二硅杂戊烷。

本发明授权硅基薄膜和形成该薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.在至少一部分衬底表面上形成硅基薄膜的方法，所述方法包括：在反应器中提供所述衬底的至少一个表面；向所述反应器中引入至少一种有机硅前体化合物，所述有机硅前体化合物选自：1,4-二硅杂戊烷、1-氯-1,4-二硅杂戊烷、4-氯-1,4-二硅杂戊烷、1,4-二氯-1,4-二硅杂戊烷、1-二甲基氨基-1,4-二硅杂戊烷、4-二甲基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1,4-双二甲基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1-二乙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、4-二乙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1,4-双二乙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1-二异丙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、4-二异丙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1-叔丁基氨基-1,4-二硅杂戊烷、4-叔丁基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1-二正丙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、4-二正丙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1,4-双二正丙基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1-二仲丁基氨基-1,4-二硅杂戊烷、4-二仲丁基氨基-1,4-二硅杂戊烷、1-2,6-二甲基哌啶基-1,4-二硅杂戊烷和4-2,6-二甲基哌啶基-1,4-二硅杂戊烷；和通过选自下组的沉积工艺在所述至少一个表面上形成所述硅基薄膜：化学气相沉积CVD、低压化学气相沉积LPCVD、等离子体增强化学气相沉积PECVD、循环化学气相沉积CCVD、等离子体增强循环化学气相沉积PECCVD、原子层沉积ALD和等离子体增强原子层沉积PEALD，其中所述硅基薄膜包含通过X射线光电子光谱法XPS测量的0到50原子重量百分比的硅，其中所述形成步骤在550℃-600℃范围的一个或多个温度下进行。

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