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龙图腾网恭喜上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利硅片吸附装置及激光退火设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910543485.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权硅片吸附装置及激光退火设备是由冒鹏飞;蔡晨;张德峰;杨博光设计研发完成，并于2019-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片吸附装置及激光退火设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅片吸附装置及激光退火设备，该硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，还包括标识差异件，标识差异件设置在硅片吸附装置上，用于形成标识区域，吸附面包括吸附区域，吸附区域被配置为能够吸附固定硅片，标识区域与吸附区域相邻设置，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘至少部分落入标识区域内，标识区域与硅片具有不同的机器识别度。上述的硅片吸附装置能够提高硅片边缘提取精度及效率，硅片与吸盘对准效率高，有利于提高激光退火设备产能。相应地，本发明还提供一种激光退火设备。

本发明授权硅片吸附装置及激光退火设备在权利要求书中公布了：1.一种硅片吸附装置，所述硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，其特征在于，还包括标识差异件，所述标识差异件设置在所述硅片吸附装置上，用于形成标识区域（12），所述吸附面包括吸附区域（11），所述吸附区域（11）被配置为能够吸附固定硅片，所述标识区域（12）与所述吸附区域（11）相邻设置，所述硅片被所述吸附区域（11）吸附固定后，所述硅片的边缘至少部分落入所述标识区域（12）内，所述标识区域（12）与所述硅片具有不同的机器识别度；所述标识区域（12）呈环形，环形的所述标识区域（12）上沿径向开设有至少一个缺口（121）；所述硅片被所述吸附区域（11）吸附固定后，所述硅片的边缘至少有三个边缘点落入所述标识区域（12）内。

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