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龙图腾网恭喜湖南智电谷新能源技术研究院有限公司申请的专利一种自支撑高强度硅碳负极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411050966.6，技术领域涉及：H01M4/139；该发明授权一种自支撑高强度硅碳负极及其制备方法是由李嘉翌;刘鑫宇设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自支撑高强度硅碳负极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自支撑高强度硅碳负极及其制备方法，包括以下步骤：制备一维导电材料的分散液，置于规则容器中进行冷冻干燥得到多孔自支撑框架；所述规则容器的容纳空间的横截面与目标极片的形状尺寸一致；通过化学气相沉积将硅和碳负载于所述多孔自支撑框架上，得到硅碳负极A；将所述硅碳负极A进行辊压，得到所述自支撑高强度硅碳负极。多孔框架三合一的作用可同时完美解决硅颗粒导电性差、易粉化、极片机械强度低、易开裂的问题，工艺优势突出；同时多孔框架三合一的角色也大大降低了电极中惰性物质占比，进一步提高本发明硅碳负极的能量密度；且本发明可由原料直接得到硅碳负极，无需经过制浆过程，大大缩短工艺，减少成本。

本发明授权一种自支撑高强度硅碳负极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑高强度硅碳负极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备一维导电材料的分散液，置于规则容器中进行冷冻干燥得到多孔自支撑框架；所述规则容器的容纳空间的横截面与目标极片的形状尺寸一致，所述分散液中一维导电材料的浓度为5wt％～80wt％，所述分散液在所述规则容器的容纳空间中的高度为20～9000μm；其中，所述一维导电材料选自单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纤维和金属纳米线中的一种或多种，所述一维导电材料的直径为1nm～5μm，长度为20nm～1mm，长径比为5～10000；通过化学气相沉积将硅和碳负载于所述多孔自支撑框架上，得到硅碳负极A；其中，在通过化学气相沉积将硅和碳负载于所述多孔自支撑框架上的过程中，硅源气体与碳源气体同时充入，或先充入硅源气体再充入碳源气体，或先充入碳源气体再充入硅源气体，或硅源气体与碳源气体多次交替充入；将所述硅碳负极A进行辊压，得到所述自支撑高强度硅碳负极。

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