买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜成都中微达信科技有限公司申请的专利光电二极管、二极管组件及光滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411826631.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权光电二极管、二极管组件及光滤波器是由曾耿华;吴峰;邹小波;林海川设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电二极管、二极管组件及光滤波器在说明书摘要公布了：本申请提供一种光电二极管、二极管组件及光滤波器，涉及技术光通信领域。光电二极管包括：衬底、第一深阱、第二阱和掺杂区域；其中，第一深阱设置在衬底上，第二阱设置在第一深阱上，掺杂区域设置在第二阱上；掺杂区域包括第一类宽掺杂区和第二类窄掺杂区，第一类宽掺杂区与第二类窄掺杂区交替分布在第二阱上，第一类宽掺杂区或第二类窄掺杂区与第二阱形成电极结构。二极管组件包括光电二极管；多个光电二极管组成全差分阵列。光滤波器包括时间读取电路、时钟电路，以及二极管组件；二极管组件用于对接收的光信号进行光电转换，得到电流信号；时间读取电路用于基于电流信号进行模数转换，得到传输信号；时钟电路用于对时钟相位进行校准。

本发明授权光电二极管、二极管组件及光滤波器在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：衬底、第一深阱、第二阱和掺杂区域；其中，所述第一深阱设置在所述衬底上，所述第二阱设置在所述第一深阱上，所述掺杂区域设置在所述第二阱上；所述掺杂区域包括第一类宽掺杂区和第二类窄掺杂区，所述第一类宽掺杂区与所述第二类窄掺杂区交替分布在所述第二阱上，所述第一类宽掺杂区或所述第二类窄掺杂区与所述第二阱形成电极结构；其中，所述电极结构包括PN结构、PP结构或NN结构；若具有多个所述第一类宽掺杂区，每个所述第二类窄掺杂区相邻的两个所述第一类宽掺杂区上所述电极结构的偏压不同；其中，所述第一类宽掺杂区上的所述电极结构不同的偏压包括V1和V2，V1为所述掺杂区域中处于中心区域的所述第一类宽掺杂区上的所述电极结构的偏压，V2为所述第一类宽掺杂区上的所述电极结构的与V1不同的另一偏压，所述第二类窄掺杂区上的所述电极结构的偏压为V3，V2＞V1＞V3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都中微达信科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区中国(四川)自由贸易试验区成都益州大道中段1800号1栋1101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。