恭喜昆药集团股份有限公司李志朋获国家专利权
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龙图腾网恭喜昆药集团股份有限公司申请的专利一种高纯度的天麻素晶体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114573649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011382181.0，技术领域涉及：C07H15/203；该发明授权一种高纯度的天麻素晶体及其制备方法和应用是由李志朋;陈云建;董艳萍;李滢设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯度的天麻素晶体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新的天麻素晶型，使用Cu‑Kα射线测量得到的X‑射线粉末衍射谱图显示所述晶型为首次发现，本发明丰富了天麻素的晶型研究。本发明制备工艺过程简单，获得的晶型化合物纯度高、溶解性好、生物利用度高，极大的拓宽了天麻素的应用场景，提高了患者服药的顺应性。
本发明授权一种高纯度的天麻素晶体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高纯度的天麻素晶体，其特征在于，X-射线粉末衍射图在2θ±0.2°位置有衍射峰，所述2θ为6.901°、8.618°、12.939°、13.820°、18.903°、20.783°；所述天麻素晶体的制备方法，包括以下步骤：天麻素Form1晶型在甲醇中溶清，然后加入异丙醚或甲基叔丁基醚，析出固体，离心、干燥后，得到天麻素晶体；或者将天麻素Form1晶型在甲醇和异丙醚，或甲醇和甲基叔丁基醚的混合溶剂中，搅拌析晶，离心、干燥后，得到天麻素晶体；所述天麻素Form1晶型按照以下方法制备：天麻素FormA晶型半水合物在115℃-160℃的温度下干燥，得到天麻素Form1晶型；所述FormA晶型半水合物按照以下方法制备：常温下将天麻素溶于乙醇、甲醇或者二者的混合溶剂中，炭滤，滴加反溶剂乙酸乙酯，低温析晶，干燥，得到天麻素FormA晶型半水合物。
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