恭喜上海华力集成电路制造有限公司张兴棣获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111326038.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法是由张兴棣;王泽逸;王恺设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法，其包括以下步骤：步骤一，对铜和氧化物进行研磨；步骤二，研磨后进行薄膜沉积；步骤三，薄膜沉积后进行光刻；步骤四，光刻后进行刻蚀；步骤五，刻蚀后进行缺陷扫描，从而判断氧化物凹陷的程度。本发明通过后续制程将凹陷通过缺陷体现出来，实现对凹陷的监控。
本发明授权通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，对铜和氧化物进行研磨；步骤二，研磨后进行薄膜沉积；步骤三，薄膜沉积后进行光刻；步骤四，光刻后进行刻蚀；步骤五，刻蚀后进行缺陷扫描，通过薄膜残留的面积判断整个氧化物凹陷程度，从而判断研磨异常情况。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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