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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210007202.3，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法是由史彦涛;蔡万贤设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法在说明书摘要公布了：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法。本发明方法不仅便捷、操作简单、成本低、效果显著，而且解决了路易斯碱钝化界面缺陷过程中诱导的界面质子转移行为。与常用的强碱性路易斯碱分子钝化缺陷相比，本方法在不损坏原有钙钛矿表面晶体结构的基础上，原位构筑3D2D异质结钙钛矿薄膜，不仅钝化了界面缺陷大幅提高了PSCs效率，还利用低维钙钛矿晶体的本征疏水特性，提高了PSCs的长期稳定性。

本发明授权一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法在权利要求书中公布了：1.一种预质子化氨基吡啶辅助制备高效钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，步骤如下：步骤1、透明导电基底的清洗及处理；依次用洗洁精水溶液、去离子水、无水乙醇、异丙醇分别超声清洗10～30min；步骤2、沉积电子传输层；通过旋涂法将质量浓度为2％～5％的氧化锡纳米粒子水凝胶旋涂在步骤1中清洗后的透明导电基底表面，之后在150～180℃下退火30～60min，得到厚度为50～100nm的氧化锡电子传输层；步骤3、预质子化氨基吡啶；配制浓度为5～10mgmL4-氨基吡啶的乙醇溶液，在冰水浴条件下逐滴滴加与4-氨基吡啶摩尔比为1：1的体积浓度为57％的氢碘酸水溶液，搅拌1～3h，通过旋蒸的方法除去过量乙醇，加入乙醚清洗3～5次，在50～70℃下真空干燥10～15h，得到预质子化氨基吡啶；步骤4、3D2D异质结钙钛矿吸光层制备；1钙钛矿前驱溶液的制备：将碘化铅溶于溶剂A中，配置成浓度为0.7-1.5M的溶液A，在温度为25-35℃的条件下，搅拌3-6h；将有机铵盐溶于溶剂B中，配置成浓度为0.8-1.3M的溶液B，然后分别用0.22μm孔径的滤膜过滤后制得钙钛矿前驱体溶液A和B；2钝化溶液的制备：将步骤3中得到的预质子化氨基吡啶溶于溶剂B中，制得浓度为5～10mgmL的溶液C，在温度为25-35℃的条件下搅拌1～2h，然后用孔径为0.22μm的滤膜过滤得到预质子化氨基吡啶溶液；33D2D异质结钙钛矿吸光层沉积：将步骤1中制备的溶液A按照1000～3000rpmmin的速度旋涂到步骤2制备的氧化锡电子传输层上，立即在70℃下退火10～30s；继续将溶液B按照1000～3000rpmmin的速度旋涂上去，立即在150℃下退火5～15min，反应生成厚度为500～1000nm的3D钙钛矿吸光层；之后将预质子化氨基吡啶溶液按照3000～6000rpmmin的速度旋涂到3D钙钛矿吸光层表面，通过预质子化氨基吡啶与3D钙钛矿吸光层表面过量的碘化铅反应，原位生成2D钙钛矿，制备成3D2D异质结钙钛矿吸光层；步骤5、空穴传输层制备配制50～100mgmL的Spiro-OMeTAD氯苯溶液，用0.22μm孔径的滤膜过滤后按照3000～6000rpmmin的速度涂覆到3D2D异质结钙钛矿吸光层表面；步骤6、金属对电极制备将上述步骤制备的装置放进掩模版，在真空蒸镀仓内，蒸镀金属电极。

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