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龙图腾网恭喜重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210935982.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器是由殷万军;杨永晖;刘玉奎;钟怡;朱坤峰;龚榜华;曹依琳;谭开洲;黄磊设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器在说明书摘要公布了：本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3淀积双多晶电容器第一层介质，并实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；4淀积电容器介质层，并完成电容器介质层结构制作；低电压系数多晶电容器包括P型衬底、P型外延层、N型阱、自对准P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶膜层、二氧化硅介质层、电容介质层、低介电系数填充膜层、金属互连膜层、顶层金属键合区外保护介质钝化层；本专利改善了双多晶电容器的边缘效应，降低了可集成双多晶电容器的机械应力。

本发明授权多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器在权利要求书中公布了：1.多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法，其特征在于，包括以下步骤：1在P型衬底形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，并在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2在N型阱和自对准P阱表面形成m埃米的场氧化层；3在可集成低电压系数双多晶电容器区N型阱上方的场氧化层之上淀积P1埃米厚的低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；其中，所述低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层作为低电压系数集成双多晶电容器的下极板；4采用热氧工艺条件生长n埃米热氧化层；5淀积d1埃米厚的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；双多晶电容器第一层介质的介电系数记为ε1；6淀积d2埃米厚的电容器介质层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容器介质层结构制作；电容器介质层的介电系数记为ε2；7完成模拟CMOS集成电路栅多晶淀积前的常规工艺；8淀积P2埃米厚的MOS晶体管栅多晶膜层，并完成MOS晶体管栅多晶掺杂；9完成正常模拟CMOS集成电路后续常规工艺；步骤6之后，还淀积形成低电压系数集成双多晶电容器上极板多晶膜层和边缘保护膜层；低电压系数集成双多晶电容器上极板多晶膜层、边缘保护膜层采用与正常模拟CMOS集成电路工艺中MOS型晶体管栅多晶侧面保护结构。

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