恭喜北京北方华创微电子装备有限公司杨光获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利干法刻蚀方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311024464.1，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权干法刻蚀方法和半导体工艺设备是由杨光;李佳阳;马一鸣;周赐;李国荣设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本干法刻蚀方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
本发明授权干法刻蚀方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种干法刻蚀方法，用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，其特征在于，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个；其中，所述含氟气体包括CF4，所述辅助刻蚀气体包括N2和O2，所述CF4与所述O2的流量比值范围为2至20，所述CF4与所述N2的流量比值范围为2至20；所述工艺气体的流量范围为10至4000sccm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京北方华创微电子装备有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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