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龙图腾网恭喜芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411523751.1，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由陈琼设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制备方法，其中，功率半导体器件包括：半导体材料层，其内包括第一掺杂区和漂移区；多个栅极沟槽，从上表面延伸穿过第一掺杂区至漂移区内，至少一栅极沟槽内设置有栅极；第一掺杂区包括第一导电类型基区和第一导电类型可控区；第二导电类型发射区，位于第一导电类型基区的表层；邻接布置的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，位于第一导电类型可控区内和或位于所述第一导电类型可控区上；第一导电类型掺杂区与第一导电类型基区和第二导电类型发射区共同连接至发射极金属层，第二导电类型掺杂区和栅极共同连接至栅极金属层；如此，降低了EMI噪声，同时避免载流子大量流失。

本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体材料层，包括彼此相对的上表面和下表面，所述半导体材料层内包括位于所述上表面侧的第一掺杂区和位于所述第一掺杂区下方的漂移区，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述漂移区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；多个栅极沟槽，从所述上表面延伸穿过所述第一掺杂区至所述漂移区内，至少一所述栅极沟槽内设置有栅极；其中，所述第一掺杂区包括经由多个所述栅极沟槽分隔的至少一个第一导电类型基区和至少一个第一导电类型可控区；第二导电类型发射区，位于所述第一导电类型基区的表层；邻接布置的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，位于所述第一导电类型可控区内和或位于所述第一导电类型可控区上；其中，所述第一导电类型掺杂区与所述第一导电类型基区和所述第二导电类型发射区共同连接至发射极金属层，所述第二导电类型掺杂区和所述栅极共同连接至栅极金属层；还包括载流子存储区，所述载流子存储区位于所述第一掺杂区和所述漂移区之间；所述第一掺杂区还包括至少一个第一导电类型浮空区，各所述第一导电类型浮空区之间以及所述第一导电类型浮空区、所述第一导电类型基区和所述第一导电类型可控区之间经由所述栅极沟槽分隔；至少一所述栅极沟槽内设置有伪栅结构；所述载流子存储区位于其内设置有栅极的栅极沟槽的两侧，所述栅极沟槽包括侧壁和底壁，所述栅极沟槽的底壁所处的深度低于所述载流子存储区的底面所处的深度，其内设置有栅极的栅极沟槽穿过所述载流子存储区；在所述第一导电类型浮空区的下方、所述第一导电类型掺杂区的下方、以及其内设置有伪栅结构的栅极沟槽的侧壁处，所述第一掺杂区和所述漂移区直接接触。

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