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龙图腾网恭喜山东天岳先进科技股份有限公司申请的专利一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119061481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546268.5，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用是由宋猛;王振行;高超;王凯;薛成业;苗泽;许长波设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用，属于4H碳化硅晶棒制备技术领域。该4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半径均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在轴向上曲率半径分布函数为CR=ey+fy2+gy3+h。该4H碳化硅晶棒在降低电阻率的同时提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半径，且同一4H碳化硅晶棒制备得到的碳化硅晶片的曲率半径分布均匀，可显著提高利用该材料制备得到的器件的稳定性。

本发明授权一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种曲率半径大且分布均匀的4H氮掺杂碳化硅晶棒，其特征在于，所述4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，所述4H碳化硅晶棒切割得到的碳化硅晶片的曲率半径均大于800m，所述4H碳化硅晶棒切割得到的碳化硅晶片在轴向上曲率半径分布函数为CR=ey+fy2+gy3+h；其中CR为碳化硅晶片的曲率半径，单位为m，y为碳化硅晶片的序号，自4H碳化硅晶棒的硅面向碳面开始按照自然数排序，包含4H碳化硅晶棒硅面的第一片碳化硅晶片序号为1，所述碳化硅晶片的厚度为350-500μm，e的取值范围为-4.1~-3.5，f的取值范围为0.17~0.19，g的取值范围为0.15~0.19，h的取值范围为830~890；包含4H碳化硅晶棒硅面的第一片碳化硅晶片为头片，包含4H碳化硅晶棒碳面的最后一片碳化硅晶片为尾片，所述头片的曲率半径与尾片的曲率半径的差值在25m以下。

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