买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜宁波恒普技术股份有限公司申请的专利一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113122917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110550502.1，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置是由刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸设计研发完成，并于2021-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；调温结构设于保温结构内，坩埚和籽晶托设于保温结构内；加热结构对坩埚底部和顶部加热，对坩埚的轴向和径向进行温度控制，测温机构分别测量坩埚顶部和底部的温度，保温结构对整个腔体的热场进行保温，还能减少坩埚的热量散失，实现对坩埚各部分的温度精确控制，调温结构能降低坩埚的径向温度梯度；从而减小碳化硅单晶生长过程中晶体的径向温度梯度和应力梯度，可降低晶体生长的缺陷，保证了晶体的质量。

本发明授权一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置在权利要求书中公布了：1.一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；所述保温结构设置于所述密封腔内；所述调温结构位于保温结构内，所述加热结构设置于所述保温结构内，所述测温机构设置于所述密封腔上；所述保温结构内用于设置坩埚，所述坩埚内设置有籽晶托；所述加热结构包括上副加热电阻和下主加热电阻；所述上副加热电阻和所述下主加热电阻独立运行；所述上副加热电阻设置于所述保温结构内上部；所述下主加热电阻设置于坩埚的四周；调温结构包括第一上部调温环、第二上部调温环和下部调温环；第一上部调温环和第二上部调温环位于坩埚上部，下部调温环位于坩埚底部；调温结构材质为低热导率材质。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁波恒普技术股份有限公司，其通讯地址为：315300 浙江省宁波市慈溪高新技术产业开发区新兴一路365号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。