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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211118930.8，技术领域涉及：H10K10/40；该发明授权一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法是由徐文涛;刘甲奇设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法。该结构分为上、中、下三层；底层包括：衬底，衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线；L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧；中层为离子胶栅介质层，覆盖在底层上；上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级；其中，顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60～90°夹角；“L型”的第二源极和第二漏极相向而置。本发明可实现突触器件的多端三维调制以及与生物神经环路中相似的相互抑制模式，对未来神经修复以及大规模类脑集成运算存在重要意义。

本发明授权一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于三维突触器件的神经环路模体结构，其特征为该结构上可分为上、中、下三层；底层包括：衬底，衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线；L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧，底边相背、平行，并垂直于纳米线；中层为离子胶栅介质层，覆盖在底层上；上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级；其中，顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60~90°夹角；“L型”的第二源极和第二漏极相向而置，形成“口字形”，并且两条底边平行，并分别垂直于第一金属氧化物掺杂纳米线；人工神经元传出端与离子胶栅介质层相连，构成人工神经元栅极，传入端与L形顶部漏级相连；其中，所述的纳米线为掺杂有金属氧化物纳米颗粒的聚3-己烷噻吩，其直径为100nm~500nm；掺杂量为0~20%；其中，所述的离子胶栅介质层为含有1-乙基-3-甲基咪唑鎓双（三氟甲基磺酰）亚胺的聚（苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯-b-苯乙烯）三嵌段共聚物，厚度为0.5~3mm；质量比为，1-乙基-3-甲基咪唑鎓双（三氟甲基磺酰）亚胺：聚（苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯-b-苯乙烯）三嵌段共聚物=2~5：1。

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