恭喜深圳左文科技有限责任公司廖佳获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳左文科技有限责任公司申请的专利基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311430508.0，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法是由廖佳;李再强;王海明设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四边进行镀膜处理；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长；S4：对生长结束的毛坯进行处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶。本发明的有益效果在于，与现有技术相比：本发明通过在晶种的进行镀膜处理，金刚石晶种的边缘不再是金刚石，不具有金刚石的晶格和原子，当金刚石原子落到膜的上表面，只会形成多晶金刚石或者石墨，避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长，进而避免晶种水平扩张，减少金刚石晶体生长相互干涉。
本发明授权基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法在权利要求书中公布了：1.基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四边进行镀膜处理；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长；S4：对生长结束的毛坯进行处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶；步骤S1中，所述金刚石晶种的边长在7-50mm之间，四边的方向和100晶向平行；步骤S2中，对金刚石晶种的边缘进行镀膜后，金刚石晶种的边缘不再是金刚石，不具有金刚石的晶格和原子，当金刚石原子落到膜的上表面，这些原子只会形成多晶金刚石或者石墨，避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长，进而避免晶种水平扩张，减少金刚石晶体生长相互干涉。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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