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龙图腾网恭喜南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733732.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件是由姚佳飞;杨凡;胡子伟;陈静;郭宇锋;蔡志匡;李曼;杨可萌;张茂林;张珺设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。

本发明授权一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件在权利要求书中公布了：1.一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，其特征在于：包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极；金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区和金属源极从下至上依次布设；栅极深沟槽和源极浅沟槽均纵向贯通式设置在N型掺杂半导体JFET区两侧，且底部均伸入正下方的N型掺杂半导体外延层中；其中，栅极深沟槽的深度大于源极浅沟槽的深度，且栅极深沟槽内填充有高K电介质，源极浅沟槽内填充金属源极；金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部；SBD金属为阶梯式，嵌设在金属源极中，包括一体设置的SBD横部和SBD纵部；其中，SBD纵部与源极浅沟槽侧壁相贴合的方式伸入源极浅沟槽，且与源极浅沟槽底面具有SBD间隙；SBD横部位于金属源极底部，且下表面紧贴N型掺杂半导体JFET区的上表面；P型掺杂半导体屏蔽层为阶梯式，包括纵屏蔽部和横屏蔽部；其中，纵屏蔽部设置在SBD纵部下方且与源极浅沟槽侧壁相重合的N型掺杂半导体JFET区；横屏蔽部设置在与源极浅沟槽底部相重合的N型掺杂半导体外延层顶部。

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