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龙图腾网恭喜桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有包括支撑管芯的接合结构的三维器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980085576.3，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权具有包括支撑管芯的接合结构的三维器件及其制备方法是由西田昭夫;虫贺光昭;崔志欣;J·凯;M·乔杜里;松野光一;J·阿尔斯迈耶设计研发完成，并于2019-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有包括支撑管芯的接合结构的三维器件及其制备方法在说明书摘要公布了：包括存储器元件三维阵列的存储器管芯和包括支持存储器元件三维阵列的操作的外围电路的逻辑管芯可以通过管芯到管芯接合来接合以提供接合组件。可通过形成穿过该存储器管芯或穿过该逻辑管芯的凹陷区来提供用于接合组件的外部接合焊盘，以物理地暴露互连层级介电层内的金属互连结构。这些外部接合焊盘可包括这些金属互连结构的物理暴露的子集，或者可形成在这些金属互连结构的物理暴露的子集上。另选地或除此之外，横向绝缘外部连接通孔结构可通过该接合组件形成到这些金属互连结构的多个层级。此外，延伸穿过该存储器管芯的阶梯式介电材料部分的贯穿介电外部连接通孔结构可被物理地暴露，并且可在其上形成外部接合焊盘。

本发明授权具有包括支撑管芯的接合结构的三维器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种接合组件，包括：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括：具有第一远侧平坦表面和第一近侧平坦表面的第一衬底、位于所述第一衬底的所述第一近侧平坦表面上方的第一半导体器件、包括电连接到所述第一半导体器件的第一金属互连结构的第一互连层级介电层，以及位于所述第一互连层级介电层的表面部分处并且电连接到所述第一金属互连结构的第一管芯到管芯接合焊盘；和第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括：具有第二远侧平坦表面和第二近侧平坦表面的第二衬底、位于所述第二衬底的所述第二近侧平坦表面上方的第二半导体器件、包括电连接到所述第二半导体器件的第二金属互连结构的第二互连层级介电层，以及位于所述第二互连层级介电层的表面部分处并且电连接到所述第二金属互连结构的第二管芯到管芯接合焊盘，其中：所述第二管芯到管芯接合焊盘接合到所述第一管芯到管芯接合焊盘，以提供所述第一半导体管芯与所述第二半导体管芯之间的管芯到管芯接合；外部接合焊盘，所述外部接合焊盘位于所述第一互连层级介电层与所述第二互连层级介电层中的一者之上或之中，所述外部接合焊盘具有物理暴露的水平表面；并且所述外部接合焊盘完全位于第一水平平面和第二水平平面内，所述第一水平平面包括所述第一衬底的所述第一近侧平坦表面，所述第二水平平面包括所述第二衬底的所述第二近侧平坦表面。

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