恭喜矽力杰半导体技术(杭州)有限公司方迟清获国家专利权
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龙图腾网恭喜矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利应用于功率转换器的封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111463188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010369001.9,技术领域涉及:H01L23/52;该发明授权应用于功率转换器的封装结构是由方迟清;叶佳明;赵晨设计研发完成,并于2020-05-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于功率转换器的封装结构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种适用于功率变换器的封装结构,其中,第一功率晶体管和控制和驱动电路集成于同一颗晶片,可以更好地实现第一功率晶体管的高频开关动作,提高第一功率晶体管的工作频率,降低开关损耗。第二功率晶体管集成于独立的第二晶片中,第一晶片和第二晶片分立于封装结构中,对第二功率晶体管的控制和驱动动作不会对第一晶片产生干扰或者其他负面影响,提高了可靠性。第一晶片和第二晶片之间可以通过大面积的连接结构进行连接,实现了较低的互连电阻,提升了大电流处理能力。
本发明授权应用于功率转换器的封装结构在权利要求书中公布了:1.一种应用于功率转换器的封装结构,其特征在于,包括:第一晶片,至少包括第一功率晶体管和第一控制和驱动电路;所述第一功率晶体管的控制电极和第一功率电极和第二功率电极位于所述第一晶片的同一表面;第二晶片,至少包括第二功率晶体管;所述第二功率晶体管的第一功率电极和所述第二功率电极位于所述第二晶片的不同表面;所述第二功率晶体管被配置为具有垂直于所述第二晶片的电流流向的功率器件;连接装置,位于所述封装结构内部,用于将所述第一功率晶体管和第二功率晶体管依次串联耦接在所述封装结构的引线框架的高电平引脚和低电平引脚之间;所述连接装置包括低互连电阻的金属连接结构,以在所述封装结构内部将所述第二功率晶体管的第一功率电极和所述第一功率晶体管的第二功率电极进行连接,以容纳大电流和降低互连电阻;并耦接至所述引线框架的外缘区域的引脚;第二晶片的第二功率电极通过导电层连接至所述引线框架的内部区域的基底。
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