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龙图腾网恭喜三菱瓦斯化学株式会社申请的专利薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板、及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047472.6，技术领域涉及：C08L79/08；该发明授权薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板、及半导体装置是由关户隆人;冈庭正志;杉山源希;高野健太郎;木田刚设计研发完成，并于2020-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板、及半导体装置在说明书摘要公布了：一种薄膜，其包含：含丙烯基树脂A，其在分子内的末端包含下述式1所示的构成单元；除前述含丙烯基树脂A以外的自由基聚合性树脂或化合物B；和固化促进剂C，前述自由基聚合性树脂或化合物B包含选自由马来酰亚胺基及柠康酰亚胺基组成的组中的至少1种。式1中，‑*表示原子键。

本发明授权薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板、及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜在预施底部填充材料中的用途，所述薄膜包含：含丙烯基树脂A；除所述含丙烯基树脂A以外的自由基聚合性树脂或化合物B；和固化促进剂C，除所述含丙烯基树脂A及所述自由基聚合性树脂或化合物B以外的热固化性化合物F，所述含丙烯基树脂A包含下述式2所示的树脂， 式2中，W各自独立地表示具有芳香环的碳数6～15的烃基，U各自独立地表示氢原子或碳数2～6的烯基，n1表示重复数，其平均值为1～20的实数，所述自由基聚合性树脂或化合物B包含选自由马来酰亚胺基及柠康酰亚胺基组成的组中的至少1种，所述固化促进剂C包含热自由基聚合引发剂D及咪唑化合物E，所述热固化性化合物F包含苯并噁嗪化合物，其中，相对于所述含丙烯基树脂A及所述自由基聚合性树脂或化合物B的合计100质量份，所述固化促进剂C的含量为0.05质量份～10质量份，其中，相对于所述含丙烯基树脂A及所述自由基聚合性树脂或化合物B的合计100质量份，所述热固化性化合物F的含量为1质量份～100质量份，以含丙烯基树脂A中的丙烯基与自由基聚合性树脂或化合物B中的聚合性官能团分别以eq.100g-树脂计算，所述含丙烯基树脂A中的丙烯基与所述自由基聚合性树脂或化合物B中的聚合性官能团的比率，即丙烯基：聚合性官能团为1：1～1：7，所述自由基聚合性树脂或化合物B中的聚合性官能团表示马来酰亚胺基和或柠康酰亚胺基。

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