恭喜闪迪技术公司H·亚比获国家专利权
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龙图腾网恭喜闪迪技术公司申请的专利用于低供电电压操作的感测放大器架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110259498.3，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权用于低供电电压操作的感测放大器架构是由H·亚比;K·林设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于低供电电压操作的感测放大器架构在说明书摘要公布了：本发明题为“用于低供电电压操作的感测放大器架构”。本发明描述了用于通过在感测操作期间动态调整数据锁存器晶体管的体效应来减少存储器单元感测操作诸如存储器读取操作的每位能量的系统和方法。执行存储器单元感测操作所需的能量的显著分量可对应于通过感测放大器电路内的数据锁存器的低阈值电压VT晶体管的寄生电流。为了在使用降低的数据锁存器的供电电压的同时降低存储器单元感测操作的每位能量，可动态调整数据锁存器内选定数量的低VT晶体管的体效应，使得在将新数据锁存到数据锁存器中期间体效应最小化或不存在，然后在将新数据锁存到数据锁存器中之后增大体效应。
本发明授权用于低供电电压操作的感测放大器架构在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括：读取电路，所述读取电路被配置为从存储器单元读取数据；数据锁存器电路，所述数据锁存器电路与所述读取电路通信，所述数据锁存器电路包括处于非导通状态的晶体管，所述数据锁存器电路被配置为锁存来自所述读取电路的所述数据并且在锁存所述数据之后增大所述晶体管的阈值电压；以及控制电路，所述控制电路被配置为确定芯片温度并基于所述芯片温度施加第一电压到所述晶体管的源极，以在锁存所述数据之后增大所述晶体管的所述阈值电压。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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