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龙图腾网恭喜广州印芯半导体技术有限公司申请的专利光传感器及其校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113917440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110672944.3，技术领域涉及：G01S7/4861；该发明授权光传感器及其校正方法是由印秉宏;王佳祥设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本光传感器及其校正方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光传感器及其校正方法。光传感器包括光源、传感子像素以及控制电路。光源发射传感光。传感子像素包括二极管、截止电阻以及时间至数字转换器。二极管具有第一端耦接工作电压。截止电阻耦接在二极管的第二端以及接地端电压之间。时间至数字转换器耦接二极管的第二端。控制电路耦接传感子像素，并依据对应于传感子像素的二极管的光子检测率、内部增益值、截止电阻的电阻值的至少其中之一，以校正传感子像素的传感灵敏度，以使传感子像素只有当接收到传感光时，产生单光子崩溃二极管传感信号。本发明的光传感器及其校正方法可实现具有高可靠度的单光子崩溃二极管传感功能。

本发明授权光传感器及其校正方法在权利要求书中公布了：1.一种光传感器，其特征在于，包括：光源，用以发射传感光；传感子像素，包括：二极管，具有第一端耦接工作电压；截止电阻，耦接在所述二极管的第二端以及接地端电压之间；以及时间至数字转换器，耦接所述二极管的所述第二端；以及控制电路，耦接所述传感子像素，并且用以依据对应于所述传感子像素的所述二极管的光子检测率、内部增益值、所述截止电阻的电阻值的至少其中之一，以校正所述传感子像素的传感灵敏度，以使所述传感子像素只有当接收到所述传感光时，产生单光子崩溃二极管传感信号，其中当所述传感子像素的所述二极管被操作在盖革模式或突崩线性模式时，所述控制电路依据所述传感子像素在传感期间提供的传感信号建立信号波形曲线，并且所述控制电路比较所述信号波形曲线与参考信号波形曲线，以确认所述传感子像素是否传感到由所述光源发射的所述传感光。

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