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龙图腾网恭喜苏州雷泰医疗科技有限公司申请的专利正交双层光栅逆向旋转调强的实现方法、存储介质及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113521561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110691866.1，技术领域涉及：A61N5/10；该发明授权正交双层光栅逆向旋转调强的实现方法、存储介质及装置是由鞠垚;姚毅设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本正交双层光栅逆向旋转调强的实现方法、存储介质及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种正交双层光栅逆向旋转调强的实现方法、存储介质及装置。所述方法包括如下步骤：S1：确定旋转弧范围，并在旋转弧范围内添加射野；S2：设置处方和器官约束条件；S3：将各射野强度整合到光栅运行曲面上；S4：按规则分割曲面强度图，并计算子野位置和权重；S5：整合子野权重、光栅叶片位置、机架角度，保存数据库；S6：进行剂量计算。相比于传统的旋转调强方法，本发明的方法优化的角度更多，结合正交双层光栅的优势，可形成复杂的照射形状，提升计划质量。

本发明授权正交双层光栅逆向旋转调强的实现方法、存储介质及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于曲面强度分割的正交双层光栅逆向旋转调强的实现方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：确定旋转弧范围，并在旋转弧范围内添加射野；S2：设置处方和器官约束条件；S3：将各射野强度整合到光栅运行曲面上；S4：按规则分割曲面强度图，并计算子野位置和权重；S5：整合子野权重、光栅叶片位置、机架角度，保存数据库；S6：进行剂量计算；其中，步骤S3包括：S31：优化强度图位于SAD高度，光栅中心高度为SCD，根据源、SCD、SAD平面的关系，计算投射到SCD高度处的强度图，SAD为放射源到机架旋转轴或机器等中心的距离，SCD为放射源到光栅的距离；S32：将SCD高度处的强度图投射到对应的角度上；S33：将曲面各角度上的强度叠加，得曲面总强度；在步骤S31中，SAD高度处强度图MapSAD大小为M行N列，行间距为Δyi，i＝[1,M]，列间距为Δxj，j＝[1,N]，转化后的SCD高度处强度图MapSCD大小仍为M行N列，但是行间距变为Δyi’＝Δyi*SCDSAD，列间距变为Δxj’＝Δxj*SCDSAD，默认行间距Δyi为叶片厚度，列间距Δxj为叶片运动步长Xstep；在步骤S32中，强度网格到中心轴的距离xi，通过将网格所属的弧长近似用xi表示，建立弧长与角度关系式： 计算得xi与中心轴夹角θ，已知当前射野机架角度α，计算xi在圆弧上的角度β＝α+θ；步骤S4包括：S41：定义分块规则，将曲面强度图分区块；S42：设置弧的个数为Narc，iarc表示第iarc个弧，iarc∈[0,Narc，初值iarc＝0；S43：对iarc个弧，从初始照射区i＝0开始，执行下述步骤S431-S434：S431：计算第i照射区的照射强度和子野形状；S432：根据子野形状，求光栅叶片位置；S433：从曲面强度图中减去当前照射区的分割值，进入下一个照射区i＝i+1；S434：重复步骤S431-S433，直至当前弧分割结束，iarc＝iarc+1；S44：返回步骤S43，直至Narc个弧分割结束；在步骤S431中，当前射野机架角度α，xi在圆弧上的角度β，则所求叶片位置xi与中心轴夹角θ＝β-α，用弧长与角度的关系计算叶片位置xi，其中，子野形状要求满足光栅物理限制，如不满足，则找出满足限制的强度损失最小的子野形状。

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