恭喜联合微电子中心有限责任公司刘祖文获国家专利权
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龙图腾网恭喜联合微电子中心有限责任公司申请的专利光电子集成芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111463372.4，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权光电子集成芯片及其制作方法是由刘祖文;金里;朱继光;冯俊波;曹睿设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电子集成芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光电子集成芯片及其制作方法，光电子集成芯片包括：增益芯片和硅光芯片模斑变换器；增益芯片包括无源波导部分和有源波导部分；在无源波导部分的无源波导区的下方生长有第一薄膜层，有源波导部分的量子阱增益区的下方生长有第二薄膜层；硅光芯片模斑变换器的硅波导上方生长有第三薄膜层；无源波导部分所支持的TE基模大于第一阈值的模场；有源波导部分所支持的TE基模大于第二阈值的模场；硅光芯片模斑变换器所支持的TE基模大于第三阈值的模场。解决了现有技术通过混合集成技术在硅基片上集成光源端面耦合公差小的问题，不仅可以实现高效率耦合而且对接公差也大幅增大，该公差能够满足自动贴片机的精度，可实现无源端面对接耦合。
本发明授权光电子集成芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子集成芯片，其特征在于，包括：增益芯片和硅光芯片模斑变换器；其中，所述增益芯片包括无源波导部分和有源波导部分；在所述无源波导部分的无源波导区的下方生长有第一薄膜层，所述有源波导部分的量子阱增益区的下方生长有第二薄膜层；所述硅光芯片模斑变换器的硅波导上方生长有第三薄膜层；所述无源波导部分所支持的TE基模大于第一阈值的模场；所述有源波导部分所支持的TE基模大于第二阈值的模场；所述硅光芯片模斑变换器所支持的TE基模大于第三阈值的模场；所述增益芯片的一侧镀有高反膜；和或所述增益芯片的另一侧镀有增透膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联合微电子中心有限责任公司，其通讯地址为：401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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