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龙图腾网恭喜云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司申请的专利一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114318495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111581919.0，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法是由韩家贤;韦华;何永彬;王顺金;吕春富;李国芳;刘吉才;唐康中设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法在说明书摘要公布了：本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。

本发明授权一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括光导棒、炉芯、内石英支撑管、内保温层、外石英支撑管、外保温层，所述石英安瓿瓶内置下坩埚、石英中圈、上坩埚、石英帽，其特征在于，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5；所述装置使用方法包括以下步骤：（1）第一次装料：将下坩埚填充物料后，送入第一段石英安瓿瓶内，然后放置石英中圈，再将装料后的上坩埚放置在石英中圈上，然后在上坩埚上放置石英帽盖封，随后将另一部分石英安瓿瓶与第一段石英安瓿瓶采用趟式焊接，将整个组合体放到烤炉上抽真空，在200℃下烘烤，用氢氧焰将石英中圈、石英帽和石英安瓿瓶焊接粘连在一起后，将装有物料的石英安瓿瓶放入单晶炉中生长单晶；（2）第一次卸料：单晶生长完成后取出石英安瓿瓶，沿着石英帽与上坩埚结合处的第一入刀口和石英安瓿瓶趟式焊接后的焊接部形成的第二入刀口将石英安瓿瓶分段切开，形成第一段石英安瓿瓶、第二段石英安瓿瓶、第三段石英安瓿瓶，然后取出上坩埚和带有晶体的下坩埚，将带有晶体的下坩埚放入甲醇溶液浸泡，取出晶体；（3）再次装料：将下坩埚填充物料后，送入第一段石英安瓿瓶内，使用立式焊接方式，将第一段石英安瓿瓶和第二段石英安瓿瓶整齐的焊接在一起，再将装料后的上坩埚放置在石英中圈上，随后使用立式焊接方式，将第二段石英安瓿瓶、第三段石英安瓿瓶之间的切口进行整齐焊接，焊接完成后放置一段时间，然后进行单晶炉生长，通过该方式可重复使用石英安瓿瓶。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司，其通讯地址为：650000 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。